美国商务部通过美国国家标准与技术研究院（NIST）宣布，已与四家公司签署意向书，计划提供总额最高达3.89亿美元的研发资金，支持功率半导体器件及关键材料技术的本土研发。

在AI基础设施方向，Vertical Semiconductor预计最高获得7300万美元，主要推进垂直结构氮化镓功率半导体研发。随着AI算力需求快速扩张，数据中心供电密度、电能转换效率和热管理压力正在上升，氮化镓等宽禁带功率器件被认为有望提升电力转换效率。该公司计划演示全球首个2.5兆瓦级超级智能数据中心机架，直接回应AI数据中心的供电瓶颈问题。

材料环节同样被纳入资助范围。Sibelco预计最高获得5600万美元，资金将用于开发超高纯度石英的下一代提纯与精加工技术，并在北卡罗来纳州建设示范设施。超高纯度石英是半导体制造中晶体生长坩埚、工艺玻璃器皿等设备的重要材料，其纯度直接影响制造良率和工艺稳定性。

从“造芯片”走向“控能源与材料”

作为获得资金的条件，美国政府将取得每家受资助企业的少数、非控制性且无投票权股权。这意味着，政府虽然不直接参与企业经营，但可以在这些技术实现商业化后获得一定财务回报。对纳税人而言，这种安排增加了公共资金获得收益的可能性；对企业而言，则意味着政府更深地嵌入了关键技术的长期发展路径。

目前双方仅签署意向书，最终资助仍需完成后续协议程序。但这一轮资助已经表明，美国半导体产业政策正在从单纯的芯片制造补贴，扩展到功率器件、关键材料和新兴能源应用。

对中国相关产业而言，这一动向意味着全球半导体竞争正从“先进制程制造”扩展到更广义的能源半导体、材料体系和下一代算力基础设施。功率半导体、宽禁带器件、高纯石英材料以及面向AI和新能源的电力电子系统，可能成为后续竞争的重点领域。