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90%国产化率,国产EUV光源系统样机首次公开亮相

香港天翔電子有限公司 / 10-15 15:40

国产EUV光源系统样机近日亮相,其国产化率达90%,验证了技术路线可行性。不过该样机目前仍处于工程验证阶段,距离商用量产仍需3-5年。

日前,在第26届中国国际工业博览会创新科技馆里,朗道燧岩(上海)科技有限公司首次公开展示一台极紫外(EUV)光源系统样机。该设备被称作高端光刻机的“心脏”,也是目前公开可见、进度较靠前的国产EUV光源样机。

据介绍,展出的光源系统国产化率达到90%,绝大多数核心零部件为自主研发,技术路线与国际主流厂商一致,现阶段可用于芯片曝光测试。

此次展出的低功率EUV光源系统型号为FlintNano LPP-OXXO。根据朗道燧岩官网公布的技术参数,其驱动激光功率为1000W,激光频率1-20kHz,转换效率大于2%,亮度为100W/mm²sr,EUV能量大于15W,持续工作时间超过100小时,等离子体尺寸为60μm,等离子体稳定性为3% RMS,能量稳定性为5%。

朗道燧岩目前的产品布局分为两条主线:低功率FlintNano-LPP系列已进入产品化阶段;高功率FlintMicro-LPP系列已完成原理论证,但尚未进入工程样机阶段。

朗道燧岩成立于2024年,创始人王豪博士团队源自清华大学气体放电等离子体实验室。公司采用激光诱导等离子体(LPP)EUV光源技术路线,与国际主流方案一致。其业务体系包括:燧岩:EUV光源系统;辉光:大功率二氧化碳轴快流激光器;天算:等离子体仿真软件。

资本层面,朗道燧岩2025年10月获得张江高科旗下燧玥创投天使轮融资;2026年1月完成天使+轮融资;2026年7月完成A轮融资,投资方包括沃衍资本、中芯聚源等。

该产品之所以备受关注,核心原因在于极紫外光源是7nm及以下先进制程芯片制造的三大核心零部件之一,长期受到海外技术垄断和出口管制影响,是中国高端芯片自主可控链条中的关键环节。

光源样机亮相,意味着国产EUV光源从实验室研究进入工程验证阶段,但并不等于已经具备完整EUV光刻机量产能力。现场工作人员介绍称,该光源系统距离量产仍需3至5年,主要差距集中在三方面:

  • 功率不足:样机EUV能量大于15W,而商用EUV光刻系统通常需要数百瓦级光源;

  • 稳定性仍需提升:能量稳定性、等离子体稳定性和长期运行可靠性还需进一步工程化验证;

  • 尚未进入晶圆量产场景:目前主要用于芯片曝光测试,不等于已具备工业级量产能力。

而且,EUV光刻机并非只依赖光源,还涉及光学系统、双工件台、真空系统、精密控制等复杂模块。

总体看,这台EUV光源系统样机的首秀,验证了国产EUV光源技术路线的可行性,也标志着国产化率较高的EUV光源样机开始进入公开测试阶段。但从“能做出来”到“能稳定用于产线”,仍需在功率、寿命、稳定性和系统集成上持续突破。


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