AI需求推动存储厂商向HBM倾斜资源，从而压缩部分传统DRAM供应，从而加剧了全产业内存缺货。

HBM5 2028年量产、zHBM剑指8倍性能

几乎在同一时间，三星公布了下一代存储技术路线图：HBM5性能将达到HBM4E的2倍，基础芯片（base die）制程由现行节点升至2纳米，预计2028年量产；zHBM目标性能提升最高可达现有HBM系统数倍，部分公开资料以HBM4E为基准测算约8倍，但具体衡量口径仍待进一步明确。

制程向2nm基础芯片的跃迁，意味着三星正将先进逻辑制程引入存储基础层，以提升带宽密度与能效，为下一代AI训练/推理算力铺路。这一路线图也预示着存储技术迭代将进入“代际加速”阶段，与逻辑芯片的制程竞赛形成呼应。

传统DRAM被挤压、终端成本承压

三星锁约与HBM路线图的影响正沿产业链层层传导。其一，HBM挤占传统DRAM产能，导致通用DRAM供应趋紧、合约价上行；其二，存储价格上涨正在增加智能手机与服务器厂商的硬件成本压力，部分终端厂商面临提价压力；其三，长约与现货的价差扩大，使具备长约锁定能力的头部客户获得成本优势，而中小客户与消费端承受更大价格波动。中国本土存储厂商有望受益于全球供应链多元化趋势，但在HBM领域目前仍与三星、SK海力士存在明显技术差距。

综合来看，三星锁定七成产能至2031、HBM5/zHBM路线图落地，以及HBM供不应求导致的现货紧缺，共同指向一个结论：由AI驱动的存储超级周期远未见顶。后续需重点关注两条主线：

• 一是HBM产能与先进封装（CoWoS/SoIC）的协同爬坡节奏，部分行业机构预计供需紧张可能持续至2027-2028年，但具体拐点取决于HBM扩产和AI需求变化；

• 二是存储合约价涨幅是否随消费端需求下修而收窄——若AI/HBM需求持续强劲，结构性涨价仍将延续。

对投资者与产业链企业而言，长约锁定能力、先进封装布局与国产替代进度，将成为未来两年的核心观测变量。