当地时间2026年8月27日，SK海力士在美国印第安纳州西拉法叶普渡大学举行面向AI的存储器先进封装生产基地奠基仪式。该基地总投资超过40亿美元，计划于2029年下半年量产新一代HBM4E芯片，是SK海力士在美国设立的首个HBM生产据点。

采用“韩国晶圆＋美国封测”协同模式

奠基仪式在普渡大学霍洛威体育馆举行。据SK海力士官方新闻稿，该工厂预计2028年10月完成无尘室建设，2029年下半年启动新一代HBM量产；全面运营后将成为拥有约1000名员工的美国核心HBM生产基地。CEO郭鲁正表示，基地年产能规划为数十万片晶圆。据韩媒报道，这座占地约54万平方米的工厂实际上已于今年4月提前动工，地面钢结构已可见。

印第安纳工厂采用与韩国生产体系紧密连接的运营方式：在韩国生产的先进晶圆运抵印第安纳后，经过先进封装和测试，以“美国制造”HBM产品直接供应英伟达、微软、谷歌等美国客户。值得关注的是，该基地量产的是第七代HBM4E而非当前应用于英伟达Vera Rubin平台的第六代HBM4。业界分析认为，这与英伟达等客户持续提升AI加速器性能的需求密切相关。SK海力士此前已按计划完成HBM4E样品出货，正按进度推进开发。

SK海力士将与该基地生产线的建设同步构建“先进封装研发测试床”，以便与客户、大学及商业伙伴共同开发下一代封装技术，快速推进原型试制与性能验证。项目预计在本地创造约7000个直接及间接就业岗位，并带动100余家合作伙伴形成半导体生态。该公司还与普渡大学签署研发合作谅解备忘录，共同开发下一代先进封装与系统集成技术，并计划通过该合作吸引美国中西部工程人才。