过去25年来，两家公司已在日本投资约9万亿日元（约合500亿美元）。

同日，铠侠还宣布已开始为日本岩手县北上市工厂新建第三座生产厂房（Fab3/K3）进行场地准备等相关工作，以扩大先进3D闪存BiCS FLASH产能。Fab3将建于现有Fab2南侧，目标于2029财年开始运营。

据日经新闻报道，该新厂投资规模超过1万亿日元（约合68亿美元），将主要用于生产铠侠最新的高密度3D NAND Flash芯片，以应对AI服务器对高性能存储芯片的旺盛需求。铠侠将与闪迪共同投资此项目，预计该大规模投资项目将获得日本经济产业省的补贴。目前，铠侠已开始与部分半导体设备制造商接洽采购事宜。

铠侠表示，随着智能体AI、物理AI和端侧AI发展，中长期闪存市场预计将持续大幅增长。公司将通过建设Fab3扩大产能并确保先进闪存产品稳定供应。Fab3的具体建设进度和设备投资计划将根据市场趋势确定，相关投资取决于政府支持。

有分析指出，在全球NAND闪存市场，铠侠目前排名第三，仅次于三星电子和SK海力士。面对两家韩国竞争对手此前宣布的巨额投资计划，铠侠此次加码建厂被视为其保持竞争力的关键举措。值得注意的是，铠侠已于上月开始了其第十代BiCS Flash堆叠式NAND Flash的出货，为新厂未来量产更先进的存储产品奠定了技术基础。