近日，英特尔CEO陈立武（Lip-Bu Tan）在TechSurge播客中首度公开暗示，公司正探索重返存储芯片市场，并明确将矛头指向HBM。

XBM与ZAM：差异化的存储押注

陈立武暗示的技术路径指向两个方向：

• XBM（eXtended Bandwidth Memory）：2026年初曝光的英特尔专利，核心创新是将DRAM晶体管后置、取消HBM必需的硅中介层。理论带宽可达HBM4的两倍、功耗更低，面向AI加速器。

• Z-Angle Memory（ZAM）：2026年2月英特尔与软银支持的Cymer Memory合作开发，定位高带宽、高容量、低功耗堆叠存储，目标2029年商业化。

配合EMIB先进封装（已支持8颗HBM、规划升级至12颗），英特尔正在构建“工艺-封装-存储”三位一体的差异化平台，避开与SK海力士在制程节点与HBM产能上的正面竞争。

踩在存储“超级周期”上

英特尔选择此刻转身，正踩在AI驱动的存储“超级周期”上。据台媒8月13日的报道，三星HBM4良率已逼近80%，SK海力士仍以50-62%份额居首，主流厂商未来两年产能基本售罄。

Counterpoint同日数据显示，Q2 NAND市场营收创历史新高，三星/SK海力士/长江存储以25%/22%/14%份额（出货量）位列前三，长江存储首度进入全球前三。苹果、任天堂已因存储涨价上调产品价格。台积电CoWoS先进封装良率达98%，意味着AI算力的“封装瓶颈”正在缓解，下一个紧约束将转移到存储。

从Optane失败到HBM对垒

英特尔上一次进军存储的尝试是2015年与美光合作的3D XPoint/Optane，但前CEO Pat Gelsinger于2022年关停该业务；2020年签署协议出售NAND/SSD业务给SK海力士（2021年12月完成第一阶段交割，整合为Solidigm）。

而此次回归的难度在于：资本压力（先进存储晶圆厂需数十亿美元）、生态壁垒（HBM涉及台积电CoWoS、三星基底芯片、SK海力士先进封装的多方协同）、时间窗口（XBM与ZAM量产仍需数年）。

但支撑信心的数据同样明确：18A节点良率月增7%-8%，14A计划2028年风险量产、2029年规模量产；特斯拉是14A首个公开大客户，苹果已同意在美国本土与英特尔合作设计与制造芯片。存储业务若能与18A/14A形成“工艺+存储+封装”协同，Intel Foundry将首次拥有完整的能力骨架。

从1968年靠存储起家，到1980年代退出DRAM、2022年关停Optane，再到2026年6月聘回李锡熙——英特尔用近六十年走出了一条“离开-回归”的弧线。在AI把存储重新推上“战略资产”位置的当下，XBM与ZAM能否撬动SK海力士、三星、美光的现有格局，将决定这家美国芯片巨头能否在HBM时代真正“重新登场”。