三星电子、SK海力士、美光三大DRAM原厂已完成2027年全年产能分配谈判,DRAM与HBM产能全部售罄。
产能分配模式正在发生深层质变。无论是否签署LTA,买家均需配合原厂预付订金完成交易。这意味着市场已从过去季度议价、现货价格波动的传统格局,系统性转向以3至5年长约锁定的卖方周期。对于尚未建立长期合作关系的买家而言,进入分配体系的门槛显著抬高。
从供需缺口看,高盛2026年6月发布的研究预测,2026至2028年全球DRAM供需缺口依次为5.0%、5.9%和3.9%。2027年将是本轮周期中紧张程度最高的年份,缺口甚至超过2026年。但业界同时预期,随着主要产能在2027年陆续分配到位、扩产项目逐步落地,价格涨幅将从2026年的倍数式暴涨趋于温和,“价格高位常态化”正在取代“恐慌性涨价”成为新叙事主线。对于终端厂商而言,成本端的确定性压力将长期存在,而非昙花一现。
相较于DRAM的卖方市场格局,NAND Flash的供应商数量更多,买方仍有有限谈判空间。市场对2027年下半年NAND供需能否趋于宽松存在分歧。部分观点认为,随着各原厂加大层数迭代与投产规模,供给端有望边际改善;但企业级SSD需求强劲构成托底力量,业界判断供给紧缺局面有望延续至2028年。NAND市场的关键变量在于原厂扩产节奏与消费端需求走势之间的博弈——若手机、PC等消费电子需求在2027年出现超预期回落,NAND供需格局可能出现阶段性松动;但AI驱动的企业级SSD需求短期内看不到降温迹象。
总体来看,2027年存储行业的供给格局已基本定调:DRAM端由AI需求主导,HBM结构性挤压传统产能,买方议价空间收至极窄;NAND端企业级需求构成底部支撑,但变数犹存。对下游终端厂商而言,产能锁定的紧迫性已从“未雨绸缪”升级为“刻不容缓”。