据路透社报道，中国存储芯片领军企业长鑫存储（CXMT）正考虑在北京市亦庄地区建设其第二座12英寸DRAM（动态随机存取存储器）晶圆厂，目前该项目已与相关地方产业平台进入早期融资洽谈阶段。

这一选址策略旨在充分依托亦庄地区已高度成熟的半导体产业配套与园区资源，从而有效缩短从动工到最终量产的建设周期。亦庄作为北京重要的科技制造中心，已汇聚了包括中芯国际、北方华创等在内的众多半导体上下游企业，产业协同效应显著。据悉，规划中的新工厂将紧邻长鑫存储现有的北京DRAM工厂。

资金储备方面，长鑫存储刚刚于2026年7月底成功登陆A股科创板，完成了约580亿元人民币（约合86亿美元）的IPO募资，创下中国内地半导体行业融资规模的历史纪录。充沛的自有资本为其后续的产能扩张和技术迭代提供了强有力的支撑。同时，针对新厂建设，长鑫存储正与北京经开区管理机构及其他国有科技企业洽谈，寻求至少6000万元人民币的早期资金支持，以彰显地方政府对核心半导体项目的战略扶持姿态。

产能规模剑指60万片，全球市占率有望突破11%

目前，长鑫存储已在合肥和北京两地运营三座12英寸DRAM晶圆厂，单座工厂月产能约为10万片。若北京第二座工厂以及规划中的上海、合肥新产线能够全面投产，长鑫存储的整体月产能有望实现翻倍，攀升至60万片以上，并有望在2030年前后整体规模超过美光科技。