近日，三星电子首席技术官兼半导体研究所所长Song Jai Hyuk在DS部门内部经营说明会上透露，第七代高带宽存储器HBM4E的可靠性测试良率已超过70%。

紧接着，SK海力士在6月18日发布官方公告称，公司已经交付12层HBM4E样品，其规格为48GB、16Gbps、能效提升逾20%、散热提升17%，采用MR-MUF封装。

这两家HBM4E的送样间隔约20天。两家韩国存储巨头的HBM4E竞争节奏已从此前的路线图宣示，全面转入实地客户验证阶段。除了三星SK海力士之外，另一家国际存储大厂美光的HBM4E量产则指向2027年。

第七代DRAM工艺D1d今年11月通过生产准备就绪审批

值得注意的是，三星的下一代10nm级第七代DRAM工艺D1d的进度，也在紧紧跟随HBM5的商用化进程。

如今，1c工艺在HBM4/E上已接近其物理极限，D1d作为第七代10nm级DRAM工艺，通过更精细的制程节点提供更高的晶体管密度、更低的功耗和更好的信号完整性，这些都是支撑HBM5性能跃升的必要条件。

HBM5的商用化预计将在2027-2028年展开，从D1d的工艺成熟到产品集成的周期来看，这一时间衔接符合半导体行业典型的2-3年工艺-产品迭代节奏。

三星和SK海力士的中长期投资计划

除了HBM4E方面的最新消息之外，三星和SK海力士在2026年6月30日也纷纷公布了中长期投资计划（2026-2040年），两家公司的涉及到的总金额高达4755万亿韩元——三星计划投资2655万亿韩元、SK海力士计划投资2100万亿韩元。

具体来看，三星集团计划的2655万亿韩元投资，重点布局首都圈半导体产业群、光州晶圆厂与智能家居工厂、忠清地区HBM晶圆厂及新一代显示屏基地、岭南地区人形机器人量产线；SK集团计划投资的2100万亿韩元包括，半导体供应链扩建1100万亿韩元（龙仁半导体群约600万亿韩元，清州NAND扩产约100万亿韩元，西南部新集群约400万亿韩元），AI数据中心项目约1000万亿韩元。

在AI算力需求持续爆发的背景下，三星与SK海力士合计4755万亿韩元的长期投资计划，以及HBM4E从研发向客户验证阶段的快速推进，标志着韩国半导体产业正以前所未有的力度押注下一代存储技术。随着2027年HBM5商用化窗口的临近，这场围绕AI内存制高点的竞速，或将重新定义全球半导体产业的权力格局。