昨日(2026年6月22日),韩国资本市场迎来一个具有标志性意义的交易日。
与之形成对照的是,三星电子在HBM领域的技术追赶进度慢于市场预期。多家韩媒援引行业分析指出,三星的HBM良率持续低于SK海力士和美光,尚未在质量层面缩小差距以获得AI芯片客户的规模化采购。
从技术和生产节奏来看,HBM的代际竞争正在以空前的速度推进。SK海力士已于6月18日向主要客户送样12层HBM4E工程样品,早于此前市场预期的生产爬坡时间表。公司在一季度财报中明确表示,HBM4的需求在未来三年内将超出其当前产能容量,并正从英伟达的“关键内存供应商”向“全方位战略合作伙伴”的角色演进。
与此同时,HBM品类的结构升级也在重塑产能分配格局——HBM单片晶圆消耗约为标准DRAM的数倍,原厂在先进制程上的产能倾斜,进一步压缩了消费级DRAM的供给空间,间接推动了整个存储品类的价格中枢上移。
SK海力士市值超越三星电子,在韩国产业史的维度上具有特殊的象征意义。这家曾在2000年代初期因债务危机濒临破产、一度面临收购要约的半导体公司,凭借在AI时代“存储即算力约束”的逻辑下实现跨越式崛起。
值得注意的是,截至2026年6月23日收盘,韩国股市因三星电子和SK海力士两大存储巨头股价暴跌而触发熔断机制。韩国KOSPI指数当日收盘跌幅超过5%,盘中一度跌至7%;KOSDAQ指数同样大跌超5%。韩国交易所先后启动KOSPI和KOSDAQ的熔断机制,程序化交易暂停5分钟。
在个股方面,SK海力士收盘跌超6%,盘中一度跌幅接近10%;三星电子跌超5.5%,盘中一度跌超7.5%。业内人士认为,暴跌的直接原因包括了估值过热与获利了结。这两家企业在本轮的涨幅巨大,年内股价翻倍甚至数倍(SK海力士年内涨幅超过290%),任何不及预期的信号都可能引发剧烈回调,AI驱动的存储行情已严重透支估值。