6月18日，SK海力士在其官网宣布，已向主要客户交付新一代AI专用高带宽内存HBM4E的12层堆叠工程样品，正式进入客户验证阶段。

图1：SK海力士官网发布HBM4E产品送样的消息

技术参数：能效与散热实现跨代升级

根据SK海力士披露的技术数据，HBM4E在多个关键维度实现了对上一代HBM4的显著提升：

• 单引脚最高数据处理速率为16 Gbps；

• 能效提升20%；

• 热阻改善17%；

• 12层堆叠；

• 业界领先容量48GB（单颗容量）；

• 采用先进MR-MUF工艺，确保结构稳定性。

HBM4E采用第七代HBM架构，仅以12层堆叠即实现48GB容量，在降低封装复杂度的同时达成性能跨越。其搭载的先进MR-MUF（批量回流模制底部填充）工艺，在堆叠完成后于芯片间隙填充液态保护材料并固化，是SK海力士区别于竞品封装路线的重要技术标识。

SK海力士开发总管安炫社长表示，公司将“把迄今为止所积累的业界领先技术竞争力和量产能力延续至HBM4E产品”，并进一步巩固"全方位面向AI的存储器创造者"的技术领导地位。

三星抢先出货，双方竞赛转入客户验证阶段

SK海力士此次送样并非单独行动。约三周前，三星电子已率先宣布实现同类型12层HBM4E的首次出货。两家韩国存储巨头的HBM4E竞争节奏已从此前的路线图宣示，全面转入实地客户验证阶段。

值得关注的是，SK海力士在HBM4量产过程中曾遭遇阶段性挑战。据韩国时报报道，其在客户认证阶段曾需调整芯片设计以满足英伟达的严苛速度规范要求。HBM4现已确定用于英伟达计划于2026年第三季度发布的Vera Rubin AI超级计算平台，每个GPU搭载8个HBM4堆叠模块。

HBM4E则锁定英伟达下一代Vera Rubin Ultra平台，该平台预计于2027年面世，届时每个GPU将搭载12个HBM4E堆叠模块。堆叠数量从8增至12，意味着GPU对HBM内存带宽和容量的需求仍在持续攀升，SK海力士能否按时量产供应将成为关键变量。

HBM从“产能之争”走向“代际之争”

HBM4E的提前送样折射出AI存储竞争正从两个层面同时升级。在供给层面，三星、SK海力士、美光三家原厂围绕HBM产能的争夺仍在持续；而在技术层面，代际迭代的节奏正在显著加快——从HBM3E到HBM4再到HBM4E，每一代产品的生命周期被持续压缩。

在此背景下，HBM4E的客户验证结果将直接影响英伟达2027年下一代平台的发布节奏。对于整个AI产业链而言，存储已经不再是被动跟随算力的配角，而是在很大程度上决定了算力能否被有效释放的“硬约束”。