美光科技正式官宣旗下弗吉尼亚州马纳萨斯工厂实现1α DRAM工艺量产。项目落地后，该生产基地的DDR4晶圆供货规模将提升四倍，预计将于2026年底完成全面量产。

美光方面表示，1α工艺的引入预计将提高马纳萨斯工厂的单片比特输出和成本竞争力。得益于此，该工厂的DDR4晶圆供应量预计将增长四倍。

该项目是美光公司在美国2000亿美元投资计划的一部分。除此之外，该公司还在纽约州和爱达荷州建设半导体工厂——纽约巨型晶圆厂的建设已于1月份启动，初步场地准备工作进展顺利，超出预期；位于爱达荷州的首座晶圆厂预计将于2027年中期投产，第二座工厂的场地准备工作也已启动。

此次扩产属于典型的逆周期战略调整。此前美光曾规划2026年初逐步关停DDR4、LPDDR4产能，集中资源转向DDR5与高端HBM产品，与行业头部厂商产能收缩节奏保持一致。但下游关键领域的刚性需求反转了行业趋势，汽车电子、国防军工、工业自动化、高端医疗、通信设备等领域设备服役周期长达10-15年，硬件架构无法快速适配DDR5迭代，导致全球DDR4库存从常规31周骤降至6-8周，断供风险凸显。

供需失衡推动了DDR4市场价值逆势攀升。据预测，2026年车用DRAM合约价涨幅预计达70%-100%，同规格DDR4晶粒价格溢价超DDR5约40%，毛利率甚至一度反超部分高端HBM产品。

HBM4加速量产扩产，抢占AI存储核心赛道

在夯实传统市场基本盘的同时，美光HBM4量产与扩产进程也在持续提速中，成为其抢占AI算力存储红利的核心抓手。作为新一代高带宽内存，HBM4采用10nm级第五代1β工艺制造，搭载2048位超宽接口，速率突破11Gbps，单颗产品带宽可达2.8TB/s，性能相较HBM3E实现跨越式升级，完美适配下一代高端AI GPU与超级算力平台需求。

产能落地节奏上，美光已在2026年第一季度实现定制化HBM4产品批量出货，专为英伟达Vera Rubin架构打造的36GB 12H规格产品已进入稳定供货阶段。相较于前代HBM3，HBM4量产爬坡效率提升一倍，良率迭代速度显著加快，2026年下半年将完成大规模量产落地，全年HBM产能已全部被头部客户锁定，订单处于全额售罄状态。

美光科技全球运营副总裁Manish Bhatia在日前出席摩根大通投资会议时表示：“美光 HBM4 产能优化速度实际上比去年的HBM3 12 层产品快了一倍。”

为匹配爆发式市场需求，美光持续加码资本开支，2026财年相关资本支出提升至200亿美元，并同时启动了长期战略合作模式，签署行业首批五年期HBM战略供货协议，锁定长期稳定客户资源。

据透露，美光下一代HBM4E产品研发进程顺利，预计2027年启动量产爬坡。该芯片计划采用10nm级第六代1γ工艺制造。1γ工艺与三星电子和SK海力士的10nm级第六代1c工艺属于同一代，这也是美光首次在该工艺中引入ASML的极紫外（EUV）光刻设备。值得注意的是，从HBM4E开始，美光将改变以往基础裸片（Base Die）自研自产的模式，转而交由台积电代工生产，以弥补自身在先进逻辑制程上的短板。

美光同时预计，到2026年年中，基于1γ工艺生产的DRAM以及第九代NAND闪存产品，将占公司总位元出货量的一半以上，1γ工艺也将成为美光史上产量规模最大的单一DRAM工艺节点。