SK海力士在财报中分析指出，人工智能正从以“大型模型训练”为中心，进化为在各种服务环境中反复进行实时推理的“代理式人工智能”阶段，这使存储器需求的基础扩展至DRAM和NAND闪存所有领域。

公司预测，存储效率化技术的扩散将提高AI服务的经济性，进而推动整体服务规模的扩大，这将进一步拉动存储器需求。基于此，SK海力士预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环境。

公司同时强调，在客户需求持续超过供应能力的环境下，能够应对AI时代需求结构性增长的供应能力已成为核心竞争优势。为此，公司将以韩国清州M15X产能爬坡和龙仁集群为核心，推进基础设施建设，今年的投资规模将同比大幅增加。

第一季度营收利润双双创下纪录

SK海力士2026财年第一季度财务报告显示，公司当期实现营业收入52.5763万亿韩元，环比增长60%，同比增长198%；营业利润为37.6103万亿韩元，环比激增96%，同比大幅增长405%；净利润达到40.3459万亿韩元。当季营业利润率高达72%，净利润率为77%，均创下公司成立以来的最高纪录。

公司表示，尽管第一季度通常是季节性淡季，但在人工智能基础设施投资扩大的推动下，市场需求持续强劲。公司通过扩大高带宽存储器、大容量服务器DRAM模块、企业级固态硬盘等高附加值产品的销售，延续了业绩上升势头。

在具体产品战略上，SK海力士表示将在DRAM和NAND闪存全领域持续推进新产品开发与供应。在HBM方面，公司将加强整合性能、良率、质量及供应稳定性的综合执行能力。在DRAM方面，已全面启动基于第六代10纳米级工艺的LPDDR6 DRAM的供应。在NAND闪存方面，公司已开始供应基于321层QLC技术的客户端固态硬盘，并将在企业级固态硬盘领域构建涵盖高性能TLC和大容量QLC的产品阵容，以灵活应对人工智能领域的整体需求。

 2026年5月26日，全球领先的存储器制造商SK海力士宣布推出一项名为“iHBM”的控温散热存储技术。该技术旨在解决高性能计算（HPC）与人工智能（AI）数据中心中，高带宽存储器（HBM）因性能提升而带来的散热挑战。

集成冷却元件，从结构层面解决散热难题

iHBM技术的核心是在HBM封装内部集成了一体化冷却元件“ICE”。该元件利用绝缘、高导热性的硅基材料，在封装内部额外构建散热路径。与传统HBM依赖热量通过核心芯片向外传导的间接散热方式不同，iHBM选择在热量最为集中的D2D PHY区域内直接嵌入ICE热控元件，构建专用的热量排出通道。SK海力士表示，这一设计可将热阻降低30%以上，并确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行。

该技术采用了经市场验证的先进MR-MUF晶圆级封装工艺，以实现稳定规模化量产。同时，iHBM技术与客户现有的系统级封装环境具备高度设计兼容性，客户无需进行大规模设计改动即可直接部署，降低了技术导入门槛。SK海力士计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品，以满足AI数据中心等超高度集成、高带宽应用场景的严苛散热需求。

AI需求结构性增长，驱动技术迭代与供应竞争

伴随AI算力需求的持续激增，HBM通过增加堆叠层数、提升运行速度实现性能迭代的同时，发热量攀升已成为关键挑战。有效控制连接HBM与GPU的D2D PHY区域的功率密度，正成为下一代HBM技术竞争力的核心。