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国产颗粒放量、云厂商定制化,瑞萨中国内存接口市场目标翻倍

香港天翔電子有限公司 / 04-13 15:36

内存接口芯片作为内存模组(RDIMM)的核心组件,在过去几年里也借势实现了高速增长。

DDR5如今已全面进入主流市场。回顾其商用进程,2022年下半年,DDR5率先在服务器领域启动部署;2023年,随着英特尔、AMD支持DDR5的服务器CPU大批量出货,主流数据中心厂商开始加速产品迭代;2024年至今,DDR5正式跃升为服务器内存市场的主流配置。

2025年下半年起,存储市场进入结构性缺货阶段。市调机构与从业者分析指出,相较于消费级市场,服务器领域对性能、带宽和可靠性的要求更为严苛,但服务器厂商对初期成本的敏感度相对较低。这一特性使得上游颗粒厂更愿意将有限产能向服务器端倾斜,从而导致消费级市场供给受限。在此背景下,业界普遍预测存储芯片的供需紧张态势或将延续至2028年之后。

与此同时,内存接口芯片作为内存模组(RDIMM)的核心组件,在过去几年里也借势实现了高速增长。瑞萨电子内存接口事业部业务拓展总监朱里(Elliot Zhu)指出,2026年AI服务器对DDR5的需求持续旺盛,进一步带动了内存接口芯片的市场增长。在CFMS | MemoryS 2026期间,他就内存接口芯片市场的最新动态,以及瑞萨电子在该领域的布局进行了解读。

DDR5代际演进:架构升级与技术连续性并行

如果观察DDR5的演进方式,不难发现该技术存在代际演进和每世代内部的演进。前者以JEDEC每隔几年发布的DDR标准为基准,比如,DDR4向DDR5的跨越、DDR5向DDR6的过渡,这种演进涉及架构层面的重大变化;后者以DDR5世代内部的演进为基准,这种演进则体现为‌RCD(寄存时钟驱动器)芯片迭代、制程工艺进步和信号架构优化‌为核心驱动力,持续实现速率跃升,被广泛提及的第一代(Gen1)、第二代(Gen2)等,都属于世代内部的演进。

DDR5核心组件RCD现已迭代到第六代(Gen6),其数据传输速率从4800MT/s、6400MT/s、7200MT/s……提升到了9600MT/s‌,这种世代内的迭代在整体架构上保持高度连续。朱里透露称,9600MT/s速率将是DDR5时代RCD发展的收官之作,DDR5的后续演进将以工艺与功能层面的优化为主。目前,DDR6的协议还在行业讨论之中,其第一代RCD尚未最终定型,整个产业链正处于定义期。

产业迁移节奏受TCO与市场格局影响

尽管DDR技术代际不断向前推进,但实际的市场迁移速度受多重因素制约。到2026年上半年,DDR5在服务器领域的部署进程如何?从系统端看,市场上的服务器仍以DDR5第三代为主(支持‌6400MT/s‌速率),第四代‌正开始逐步商用部署(支持‌7200MT/s‌速率);而从器件端看,DDR5 RCD已经迭代到第六代(支持9600MT/s)。

这也意味着,内存接口芯片厂商要比终端服务器厂商提前数年准备好相应的RCD产品。“内存接口芯片厂商是行业上游的核心参与者,”朱里介绍道,“我们比终端市场规模放量早5至6年启动研发与定义工作。”

实际上,瑞萨电子每一代内存接口芯片发布之前,都需要与业界合作伙伴共同确立技术方向和规格标准,再经反复验证后才能将内存接口芯片新品推向产业化。正是这种“先行者”模式,确保瑞萨在每一代内存技术切换时,均能占据行业先发优势。

除以上因素之外,DRAM颗粒和CPU持续涨价,推高了系统TCO(总拥有成本)。有导致8000MT/s及新一代产品的切换节奏普遍后延的可能,终端客户更倾向于“旧产品先用着”而推迟下一代产品的导入验证。这给整个产业链,尤其是DRAM颗粒厂商,带来了挑战。

再从市场共存格局来看,2026年6400MT/s产品的市场占比预计超过50%,5600MT/s约占30%。2027到2028年,8000MT/s有望超过50%份额,而9600MT/s预计在2028至2029年成为主流,届时DDR6也将逐步进入市场视野。朱里认为,这种渐进式的迁移节奏,为产业链各环节参与者提供了充裕的调整和收益空间。

从主流服务器到AI数据中心,全场景覆盖

在高频运行的服务器中,如果CPU的内存控制器直接连接多颗DRAM内存颗粒,容易出现两个大问题:一是信号传输距离长了容易“衰减失真”,二是连接的颗粒太多会让控制器“负载过重”。而RCD就像一个“智能中继站”,插在内存控制器和DRAM颗粒中间,把原本要直接传输的信号先接收下来,经过缓冲、放大后再转发出去,既解决了信号衰减的问题,又减轻了控制器的负担。

瑞萨电子DDR5内存接口方案

瑞萨电子提供各种符合JEDEC标准的RCD、数据缓冲器(DB)、电源管理IC、温度传感器和SPD(串行存在检测)集线器,满足DIMM及其他DRAM和NAND内存接口应用的时序要求。其内存接口芯片产品覆盖了从主流服务器到AI数据中心的全场景需求。

首先是RCD产品线。瑞萨DDR5第六代RCD的带宽较第五代提升了10%,同时还通过增强的DFE(决策反馈均衡)架构和DESTM系统级诊断功能,大幅提升了信号完整性和系统可靠性。目前,该产品已开始向所有主流DRAM供应商送样,预计2027年上半年启动量产。

其次是MRDIMMMRDIMM是专为AI和HPC数据中心设计的新型内存模组技术,由瑞萨与英特尔及内存供应商共同推动。该芯片组采用“1+10”架构——1颗MRCD(寄存时钟驱动器)搭配10颗MDB(多路复用数据缓冲器),通过双列内存同时存取数据,使内存带宽提高6%至33%,容量可扩展至256GB,远超标准RDIMM的96GB。

再次是I3C系列。这是DDR5时代全新推出的产品品类,旨在统一管理主板上RCD、PMIC等多个器件。瑞萨将该协议从SPD中独立出来,单独设计了一款芯片,以满足双CPU、多内存条及多SSD等一对多的管理需求。该产品现已通过英特尔和AMD的主板认证。

AI服务器驱动MRDIMM需求超出预期

在DRAM整体供应吃紧的宏观背景下,MRDIMM将成为瑞萨电子最值得期待的增量市场之一。据朱里透露,单套MRDIMM方案的价格约为标准RCD套件的数倍,在高价值密度的AI服务器领域,这种溢价更有可能被客户接受。

其原因在于,在DRAM颗粒价格快速上涨的环境下,BOM表中MRDIMM的成本占比被稀释,客户对价格的敏感度显著降低,转而更加关注速率和容量优势。AI服务器对内存带宽和容量的需求更为迫切,相较于传统RDIMM, MRDIMM能实现更高的容量和更大的带宽。

由此预测,MRDIMM的渗透率有望从2026年的低个位数攀升至2027年的8%至10%,超出此前的5%到8%的预期。AI服务器和视频流(例如,抖音、YouTube等)是目前需求最明确的两大应用场景。目前,国内已经有头部企业表现出对MRDIMM的明确兴趣。朱里坚信,随着AI资本支出持续高涨,MRDIMM有望在瑞萨电子的内存接口业务中占据日益重要的份额。

定制化需求与国产颗粒放量驱动中国市场的增长

如今,瑞萨电子对中国内存接口市场保持长期投入和高度关注。从终端客户的需求特征来看,中国与美国呈现出显著差异。美国市场对CPU迭代的节奏相对较快且成熟,而中国云厂商正快速释放对定制化内存解决方案的需求。

朱里观察到,中国客户对技术响应速度和技术支持深度的要求远高于国外,国内DRAM模组能力正处于高速成长期。“虽然国产颗粒品质已接近一线水平,但模组设计和系统适配能力仍在快速爬坡,”他还补充说,瑞萨电子在中国建立了整建制的AE支持团队,分布在上海和成都,实现了客户需求零时差响应。

近年来,中国在内存接口芯片领域的增长潜力巨大,已成为增长最快的区域市场之一。“DDR5在服务器市场的主流地位至少会延续到2030年,我们中国市场内存接口芯片今年的营收目标是同比增长100%。”朱里称,“2026年瑞萨MID有信心在中国实现100%的增长。这主要得益于国产内存模组需求的快速提升,我们作为行业重要的参与者,业务量也随之高速增长。”

总而言之,瑞萨电子在中国市场采取了积极的供应链本土化策略,旨在为客户保障供应,并巩固在中国市场的竞争地位。


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