作为全球存储领域的两大核心企业，三星电子与SK海力士同步加大对华投资力度，累计投入超1.5万亿韩元用于中国生产基地的工艺升级与产能扩容，

大连NAND工厂投资4406亿韩元，增长52%，新增资金主要用于产能升级与技术研发，聚焦高端存储芯片生产以匹配AI、数据中心需求，正推进321层第九代NAND产线转换。针对EUV设备限制，SK海力士采用“分段制造”策略，将关键光刻步骤放在韩国本土完成，再将晶圆运回无锡进行后续工序，破解技术管制难题。

双巨头加码中国工厂，核心驱动力源于AI技术演进推动高性能存储需求激增，2026年全球DRAM与NAND计划产量近乎售罄。中国作为全球最大存储芯片消费市场，2025年规模达4580亿元人民币，同比增长7.3%，AI基础设施投资持续加码，供需缺口显著。

瑞银证券预测，2026年全球半导体市场规模将同比增长超40%至1万亿美元，这一增长主要受存储涨价驱动，中国市场潜力成为巨头布局的重要支撑。

战略层面，业内人士指出，出于保护核心技术的考虑，海外工厂工艺通常较韩国本土落后约两代，但此次两大巨头直接切入第八代、第九代先进制程，既规避本土扩产风险，又能快速响应亚太市场需求。同时，中国拥有完整半导体产业链，可实现“本地化生产供应”，缩短交付周期，叠加产业扶持政策，为投资提供稳定预期。

展望未来，2026年二季度将是投资关键节点，三星西安X2产线、SK海力士先进NAND产线转换将逐步落地，全年持续推进设备导入与产能爬坡。在AI浪潮与产业链重构驱动下，两大巨头的中国布局，将推动中国成为全球半导体产业重要增长引擎与创新中心。