美东时间3月18日，美光科技公司公布了截至2026年2月26日的2026财年第二季度业绩报告。数据显示，本季度公司营收达到238.6亿美元，较去年同期的80.5亿美元增长196%，较上一季度的136.4亿美元增长75%，创下历史新高；净利润表现更为强劲，在GAAP准则下净利润为137.9亿美元，同比暴涨770.8%，环比增长163.1%。

公司称，业绩大幅增长的主要驱动力来自人工智能（AI）带来的强劲需求以及全行业的供应紧张。美光科技首席执行官桑杰·梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)表示，在人工智能时代，存储器已成为客户的战略资产，强劲的市场需求、紧张的行业供应以及公司高效的执行力共同推动了创纪录的业绩。公司预计当前DRAM和NAND的供应紧张状况将持续至2026年之后。

从产品细分看，DRAM业务营收为188亿美元，占总营收的79%，同比增长207%，其平均售价环比上涨约65%。NAND业务营收为50亿美元，占总营收的21%，同比增长169%，其平均售价环比上涨约75%至79%。高带宽内存（HBM）需求尤其强劲，美光专为英伟达Vera Rubin设计的HBM4已批量出货，下一代HBM4E产品研发顺利，预计将于2027年量产。

各终端市场业务部门营收均创历史纪录。云存储业务部营收77.5亿美元，占总营收32%；核心数据中心业务部营收57亿美元，占24%；移动/消费端业务部营收77.1亿美元，占32%；汽车与嵌入式业务部营收27亿美元，占11%。所有部门的毛利率均显著提升，其中移动/消费端业务部毛利率达到79%。

基于对市场的乐观预期，美光发布了远超市场预期的第三财季业绩指引。公司预计第三财季营收约为335亿美元，非GAAP每股收益约为19.15美元，毛利率预计将进一步提升至约81%。

为满足持续增长的需求并解决供应缺口，美光正大幅增加资本支出以扩张产能。公司将2026财年资本支出预期上调至250亿美元以上，并预计2027财年资本支出将大幅增加，其中厂房建设相关支出预计同比增加超过100亿美元。这笔投资将用于美国爱达荷州和纽约州的新晶圆厂建设、对力晶半导体铜锣厂区的收购与扩建，以及在新加坡建设新的NAND晶圆厂和HBM先进封装厂。梅赫罗特拉表示，爱达荷州工厂预计2027年年中投产，纽约州工厂预计2028年下半年产出晶圆。

在财报电话会议上，管理层强调人工智能是驱动行业发展的长期结构性因素，提升了存储产品的价值。公司已签署首份为期五年的战略客户协议，并与多家客户洽谈类似合作，以提升业务模式的可见性与稳定性。管理层透露，目前仅能满足部分核心客户约50%至三分之二的需求。