究竟是什么因素在阻碍Chiplet技术实现更广泛的突破性增长?
在确定了系统功能划分和工艺节点之后,芯粒设计者需要解决的下一个关键问题是实现芯粒与芯粒之间(die-to-die)的互连。尽管UCIe已成为此互连领域的事实标准,但要从中选择合适的配置并非易事。设计者必须首先根据芯粒要处理的工作负载,准确理解其带宽需求。
此外,Chiplet设计人员还需在两类互连介质间做出选择:一种是互连距离更长的有机基板,对应“UCIe标准”模式;另一种是凸点间距极小的先进封装技术,对应“UCIe高级”模式。同时,还必须考虑数据速率(范围通常在16Gbps到64Gbps之间),以及需要的数据通道数量。
Chiplet将传统的片上系统(SoC)功能拆分到更小、可能是同质或异质的芯粒中,然后将它们集成到同一个系统级封装(SiP)之内。这种系统级封装不仅包含传统的封装基板,还包括能够提供更高布线密度、更多功能和更强集成度的中介层(interposer),使得整个系统可以在单一的标准或先进封装内实现。
先进封装技术之所以成为半导体生态的焦点,很大程度上是由于2.5D/3D多芯粒设计的兴起。然而,先进封装也给Chiplet设计带来了全新的挑战,包括机械外形尺寸、信号和电源完整性的分析,以及对单个芯粒的热管理分析。
可以说,Chiplet的发展与先进封装技术已密不可分。
当设计者思考如何在多芯粒设计中实现互连时,与那些包含了硅中介层或带硅桥的中介层的2.5D/3D架构相比,使用有机基板通常成本更低,设计周期也更短。
接下来,设计者还必须在“硅中介层”与“RDL中介层”之间做出选择。硅中介层虽然是成熟产品,但尺寸越大,成本就越高,并且由于其材料的脆性,尺寸受到了限制。相反,RDL中介层的主要目标是降低制造成本并提供更大的面积,以集成更多硅片内容,从而构建规模更大的系统。
此外,还有一系列任务需要完成,如凸点(bump)规划和晶圆探针(wafer-probe)布局,以确保芯粒、封装和测试流程三者之间的要求能协调一致。先进封装也带来了与测试规划相关的挑战,例如,为确保最终输出“已知合格芯粒”(KGD),必须在芯粒设计时就预留好晶圆测试探针的物理访问点。由于并非所有芯粒都可以通过外部引脚访问,设计者可能还需要借助多芯粒测试服务器来解决测试访问问题。
协同设计涵盖硅片、软件和系统组件,以实现最优的集成效果和整体系统效率。
以安全性为例:在包含同质或异质芯粒的系统中,安全性已成为一个至关重要的考量因素。首先,设计者必须提供身份验证功能,以确保每个芯粒的真实性和可信度。其次,设计者可能需要建立一套可信根系统,用于处理敏感数据,以及在系统之间安全传递密钥,从而实现数据加密等服务。
设计者还需考虑实施安全启动(secure boot)流程,以在硬件和固件层面防范外部篡改。另一个关键的安全考量是保护跨关键接口传输的数据,这些接口包括应用了完整性及数据加密(IDE)技术的PCIe和CXL,以及具备内联内存加密(IME)功能的DDR和LPDDR。
上述Chiplet设计所面临的挑战充分表明,从传统SoC向多芯粒设计的转变,为半导体专业人士开辟了一个充满机遇的全新疆域。