存储巨头美光科技宣布，将于1月16日下午在美国纽约州奥农达加县克莱镇正式启动巨型晶圆厂建设项目。这项总投资约1000亿美元的项目是纽约州历史上规模最大的私人投资计划，将分阶段建设四座先进晶圆厂，打造全球最先进的存储半导体制造中心。

该项目原定于2024年中期开工，因需完成长达上万页的环境评估报告，工期推迟约一年半。根据最新规划，美光科技将在3月31日前完成场地清理工作，随后开展铁路支线建设和湿地平整。首座工厂预计2030年投产，第二座工厂将于2033年启用，全部四座工厂计划在2045年建成，届时将创造约9000个直接就业岗位。

美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra曾表示，该项目将巩固公司作为美国唯一存储器制造商的地位，助力满足人工智能系统对存储芯片的快速增长需求。在拜登政府执政期间，该公司根据《芯片法案》获得了55亿美元的税收优惠，此举是其提升美国本土DRAM产量至全球总量40%战略的重要组成部分。

市场数据显示，美光科技在存储芯片领域保持重要地位。2025年第三季度，公司在全球HBM市场营收份额为21%，位列SK海力士（57%）和三星电子（22%）之后；在整体DRAM市场中，美光以26%的份额居第三位。若能达到40%的市场份额目标，公司有望跃升为全球最大存储芯片制造商。