关闭6英寸旧厂、整合8英寸产能、收缩大陆成熟制程布局……2025年以来，台积电一系列产能调整动作引发行业对其“退出成熟制程”的猜测。

台积电的收缩为竞争对手创造了机会。目前，联电、中芯国际已针对性扩产28nm、40nm 产能，2025年联电成熟制程营收同比增长18%，主要来自原台积电的汽车芯片客户。中芯国际则借助大陆汽车电子需求，将14nm/28nm产能利用率提升至85%。

2nm量产在即，1.4nm研发加速

在成熟制程进行结构性收缩的同时，台积电在7nm及以下节点已形成“3nm规模出货、2nm试量产启动、1.4nm研发攻坚”的技术梯队，叠加先进封装产能扩张，持续领跑全球半导体制造赛道。

按照台积电总裁魏哲家2025年10月公开表态，2nm制程已顺利进入试量产阶段，良率表现“符合预期”，计划2026年实现快速量产。该工艺延续FinFET架构改良路线，通过引入更先进的多重曝光技术，相较3nm制程实现芯片面积缩减5%、能效提升15% 的性能突破。

产能布局上，新竹宝山20厂与高雄22厂已完成设备安装调试，2025年底月产能将提升至5万片，单晶圆售价高达3万美元，创行业纪录。客户方面，苹果独占近半数产能，将用于2026年iPhone 18系列搭载的A20芯片；高通、AMD、联发科、英特尔等企业也已锁定产能配额，形成覆盖消费电子与高性能计算（HPC）的多元化需求矩阵。

作为当前主力先进制程，3nm在2025年三季度的营收占比已达23%，产能利用率持续维持100%饱和状态。除传统高端手机SoC外，英伟达GB200等新一代AI加速器已部分采用3nm工艺，通过高密度晶体管集成实现算力与能效的双重优化。

为应对旺盛需求，台积电计划2026年将3nm月产能从当前的12万片提升至15万片，并同步推出N3E（增强版）工艺，进一步降低功耗10%，主要面向数据中心客户。

与此同时，台积电已启动1.4nm工艺研发攻坚，预计2027-2028年间实现量产。该制程将可能采用全新的晶体管架构，使芯片面积将较2nm再缩减 5%，但面临设备投入与工艺复杂度激增的挑战——单台High-NA EUV光刻机采购成本已突破3.5亿美元，研发总投入预计超50亿美元。

行业分析师预计，台积电将于2026年1月起上调5纳米以下制程的芯片价格。TrendForce消息人士称，该公司已于去年9月通知其主要客户。平均价格将上涨3%至4%，但来自台湾的报道显示，最先进的制程节点价格涨幅可能高达10%。

此外，从2026年1月起，2nm制程节点的价格将连续四年上涨。到2030年，最先进制程节点的累计涨幅可能达到两位数，这将影响人工智能、高性能计算和其他高要求应用领域所用尖端芯片的成本。