韩国存储芯片行业龙头企业三星电子与SK海力士宣布将DDR4产品生产周期延长至2026年。
深入探究价格倒挂现象的形成机制,供应端结构性短缺为核心驱动因素。2024年初,三星电子、SK海力士及美光科技三大存储厂商曾向产业链客户通报DDR4产能缩减计划。但随后HBM(高带宽内存)市场需求爆发式增长,显著改变产业资源配置格局。由于HBM产品单颗晶圆消耗量约为标准DRAM产品的三倍,内存制造商在加大 HBM产能投入的同时,不可避免地压缩了DDR4产品的产能供给。叠加市场恐慌性采购行为,共同推动DDR4产品价格持续走高。
需求侧分析显示,工业控制主板、通信基础设施等领域,出于系统稳定性及兼容性要求,仍对DDR4产品保持刚性需求。此外,全球人工智能数据中心建设浪潮的持续推进,不仅带动HBM产品需求激增,普通服务器市场对DRAM产品的需求亦同步增长,其中DDR4产品仍占据一定市场份额。
尽管三星电子与SK海力士延长DDR4产能供应的举措,短期内有助于缓解市场供需矛盾,并对内存市场价格体系与竞争格局产生影响,但行业普遍预期,技术迭代趋势不可逆转。随着时间推移,DDR5技术将逐步完成对市场的全面渗透,这既是半导体技术演进的必然结果,也是内存产业持续创新以满足多样化市场需求的关键路径。