作为台积电首个“非过渡型”的1.4nm级工艺，A14不仅实现了性能与能效的跨越式升级，更通过与Intel 14A（1.4nm级）工艺的直接对标，掀起全球先进制程竞争的新一轮高潮。

‌A14制程核心突破：性能、功耗、密度全方位升级‌

根据台积电披露，A14工艺采用‌第二代GAAFET（全环绕栅极纳米片）晶体管技术‌，结合‌NanoFlex Pro标准单元架构‌，彻底重构了芯片设计的底层逻辑：

• ‌性能与能效飞跃‌：在同等功耗下，A14较N2（2nm）工艺性能提升10%-15%；若维持相同性能，功耗可降低25%-30%。这一指标远超当前行业水平，尤其适用于对能效敏感的AI芯片、移动计算及高性能计算（HPC）领域。

• ‌密度优势显著‌：逻辑晶体管密度提升最高达23%，芯片整体密度提升20%，为复杂芯片设计（如多核处理器、大模型推理芯片）提供更高集成度支持。

• ‌设计灵活性革新‌：NanoFlex Pro架构允许芯片设计者根据应用需求动态调整晶体管配置，在性能、功耗、面积三者间实现最佳平衡，尤其适配AI、自动驾驶等场景的定制化需求。

值得注意的是，A14引入了全新的IP核、设计优化工具及EDA软件技术，但其与台积电N2P（2nm增强版）和A16（1.6nm级）工艺的‌不兼容性‌，或将推动客户加速向A14迁移，巩固台积电在先进制程市场的技术壁垒。

直面Intel 14A，台积电技术优势凸显‌

台积电A14的命名与参数设计被业界视为‌直接对标Intel 14A(1.4nm)工艺‌。

• ‌性能/功耗比‌：台积电A14的能效提升幅度与Intel公布的14A数据差不多，Intel此前宣称14A较18A性能提升约15%。

• ‌量产时间差与市场策略‌：尽管根据此前Intel公布的工艺路线图，Intel 14A最早将在2026年量产，但台积电凭借其在代工生态、客户粘性及成熟度上的优势，有望通过A14在2028年的量产窗口承接高端客户需求，尤其是苹果、英伟达、AMD等核心合作伙伴的下一代产品。

未来将布局更多A14版本‌

除了A14之外，台积电还同步披露了A14工艺的长期规划：