美光科技近日宣布启动重大组织架构重组，并透露其下一代HBM4技术量产时间表，剑指2026年实现技术突破。

不过，现行NCF工艺在12层以上HBM3E堆叠中面临材料填充不均、边缘溢胶等问题，难以满足HBM4（预计12-16层）更高密度需求。而根据制造商设备的不同，Fluxless技术通过等离子体或甲酸等不同处理方式替代传统助焊剂，直接去除凸块氧化层，可提升堆叠可靠性与良率。

‌力图缩小与SK海力士差距‌

如今，美光已与核心设备商达成深度合作。据The Elec报道，韩美半导体将向美光交付约50台热压TC键合机，远超2024年的交付量，为美光的HBM3E扩产铺路；下一代HBM4产线设备采购与测试同步推进，目标2026年量产，2027-2028年推出更先进的HBM4E。

‌目前，美光12层HBM3E已向英伟达B300芯片供货，但市场份额仍落后于SK海力士。据韩媒分析，此次重组与技术迭代双管齐下，意在通过‌“定制化服务+前沿技术”组合拳争夺AI芯片巨头订单。而三星电子同期启动的无焊剂技术测试，则预示HBM4赛道将迎来更激烈的技术博弈。

‌美光CEO Sanjay Mehrotra表示，新架构将于2025年5月生效，同期启用新财务报告体系。随着HBM在AI服务器中的渗透率持续攀升（TrendForce统计，2023年HBM占DRAM总产值的只有8%，2024年激增至21%，到2025年占比预计将超过30%），美光此番战略调整或为其在万亿级AI存储市场中赢得关键席位。